Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx gate electrode on Vfb for HfO2 gate stack

M.Kimura M.Kimura, T.Nabatame T.Nabatame, H.Yamada H.Yamada, A.Ohi A.Ohi, T.Chikyow T.Chikyow, T.Ohishi T.Ohishi, Tomoji Oishi

Research output: Contribution to journalArticle

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JournalNIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大
Publication statusPublished - 2011 Nov 4

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M.Kimura, M. K., T.Nabatame, T. N., H.Yamada, H. Y., A.Ohi, A. O., T.Chikyow, T. C., T.Ohishi, T. O., & Oishi, T. (2011). Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx gate electrode on Vfb for HfO2 gate stack. NIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大.