Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx gate electrode on Vfb for HfO2 gate stack

M.Kimura M.Kimura, T.Nabatame T.Nabatame, H.Yamada H.Yamada, A.Ohi A.Ohi, T.Chikyow T.Chikyow, T.Ohishi T.Ohishi, Tomoji Oishi

Research output: Contribution to journalArticle

Original languageEnglish
JournalNIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大
Publication statusPublished - 2011 Nov 4

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M.Kimura, M. K., T.Nabatame, T. N., H.Yamada, H. Y., A.Ohi, A. O., T.Chikyow, T. C., T.Ohishi, T. O., & Oishi, T. (2011). Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx gate electrode on Vfb for HfO2 gate stack. NIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大.

Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx gate electrode on Vfb for HfO2 gate stack. / M.Kimura, M.Kimura; T.Nabatame, T.Nabatame; H.Yamada, H.Yamada; A.Ohi, A.Ohi; T.Chikyow, T.Chikyow; T.Ohishi, T.Ohishi; Oishi, Tomoji.

In: NIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大, 04.11.2011.

Research output: Contribution to journalArticle

M.Kimura, M.Kimura ; T.Nabatame, T.Nabatame ; H.Yamada, H.Yamada ; A.Ohi, A.Ohi ; T.Chikyow, T.Chikyow ; T.Ohishi, T.Ohishi ; Oishi, Tomoji. / Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx gate electrode on Vfb for HfO2 gate stack. In: NIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大. 2011.
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PY - 2011/11/4

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M3 - Article

JO - NIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大

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