Schottky contacts of Ni/Au on n-GaN grown on sapphire and SiC substrates

B. J. Zhang, G. Y. Zhao, N. Nishikawa, M. Adachi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Umeno

Research output: Contribution to journalArticle

Original languageEnglish
Pages (from-to)P88 (2008)-103
JournalSiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第9回講演会予稿集
Publication statusPublished - 2000 Dec 1

Cite this

Schottky contacts of Ni/Au on n-GaN grown on sapphire and SiC substrates. / Zhang, B. J.; Zhao, G. Y.; Nishikawa, N.; Adachi, M.; Ishikawa, H.; Egawa, T.; Jimbo, T.; Umeno, M.

In: SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第9回講演会予稿集, 01.12.2000, p. P88 (2008)-103.

Research output: Contribution to journalArticle

Zhang, B. J. ; Zhao, G. Y. ; Nishikawa, N. ; Adachi, M. ; Ishikawa, H. ; Egawa, T. ; Jimbo, T. ; Umeno, M. / Schottky contacts of Ni/Au on n-GaN grown on sapphire and SiC substrates. In: SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第9回講演会予稿集. 2000 ; pp. P88 (2008)-103.
@article{432ff0f11e8b419eb776d60ea7abeb6a,
title = "Schottky contacts of Ni/Au on n-GaN grown on sapphire and SiC substrates",
author = "Zhang, {B. J.} and Zhao, {G. Y.} and N. Nishikawa and M. Adachi and H. Ishikawa and T. Egawa and T. Jimbo and M. Umeno",
year = "2000",
month = "12",
day = "1",
language = "English",
pages = "P88 (2008)--103",
journal = "SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第9回講演会予稿集",

}

TY - JOUR

T1 - Schottky contacts of Ni/Au on n-GaN grown on sapphire and SiC substrates

AU - Zhang, B. J.

AU - Zhao, G. Y.

AU - Nishikawa, N.

AU - Adachi, M.

AU - Ishikawa, H.

AU - Egawa, T.

AU - Jimbo, T.

AU - Umeno, M.

PY - 2000/12/1

Y1 - 2000/12/1

M3 - Article

SP - P88 (2008)-103

JO - SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第9回講演会予稿集

JF - SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第9回講演会予稿集

ER -