The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors

H.Yamada H.Yamada, T.Nabatame T.Nabatame, M.Kimura M.Kimura, A.Ohi A.Ohi, T.Ohishi T.Ohishi, T.Chikyow T.Chikyow, Tomoji Oishi

Research output: Contribution to journalArticle

Original languageEnglish
JournalNIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大
Publication statusPublished - 2011 Nov 4

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The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors. / H.Yamada, H.Yamada; T.Nabatame, T.Nabatame; M.Kimura, M.Kimura; A.Ohi, A.Ohi; T.Ohishi, T.Ohishi; T.Chikyow, T.Chikyow; Oishi, Tomoji.

In: NIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大, 04.11.2011.

Research output: Contribution to journalArticle

H.Yamada, H.Yamada ; T.Nabatame, T.Nabatame ; M.Kimura, M.Kimura ; A.Ohi, A.Ohi ; T.Ohishi, T.Ohishi ; T.Chikyow, T.Chikyow ; Oishi, Tomoji. / The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors. In: NIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大. 2011.
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T1 - The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors

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PY - 2011/11/4

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M3 - Article

JO - NIMS(物質材料研究機構)連携大学院ワークショップ、早稲田大

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