| Original language | English |
|---|---|
| Journal | NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大 |
| Publication status | Published - 2011 Nov 4 |
Cite this
H.Yamada, H. Y., T.Nabatame, T. N., M.Kimura, M. K., A.Ohi, A. O., T.Ohishi, T. O., T.Chikyow, T. C., & Oishi, T. (2011). The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors. NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大.
The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors. / H.Yamada, H.Yamada; T.Nabatame, T.Nabatame; M.Kimura, M.Kimura; A.Ohi, A.Ohi; T.Ohishi, T.Ohishi; T.Chikyow, T.Chikyow; Oishi, Tomoji.
In: NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大, 04.11.2011.Research output: Contribution to journal › Article
H.Yamada, HY, T.Nabatame, TN, M.Kimura, MK, A.Ohi, AO, T.Ohishi, TO, T.Chikyow, TC & Oishi, T 2011, 'The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors', NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大.
H.Yamada HY, T.Nabatame TN, M.Kimura MK, A.Ohi AO, T.Ohishi TO, T.Chikyow TC et al. The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors. NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大. 2011 Nov 4.
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TY - JOUR
T1 - The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors
AU - H.Yamada, H.Yamada
AU - T.Nabatame, T.Nabatame
AU - M.Kimura, M.Kimura
AU - A.Ohi, A.Ohi
AU - T.Ohishi, T.Ohishi
AU - T.Chikyow, T.Chikyow
AU - Oishi, Tomoji
PY - 2011/11/4
Y1 - 2011/11/4
M3 - Article
JO - NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大
JF - NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大
ER -