The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors

H.Yamada H.Yamada; T.Nabatame T.Nabatame; M.Kimura M.Kimura; A.Ohi A.Ohi; T.Ohishi T.Ohishi; T.Chikyow T.Chikyow; Tomoji Oishi

The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors

H.Yamada H.Yamada, T.Nabatame T.Nabatame, M.Kimura M.Kimura, A.Ohi A.Ohi, T.Ohishi T.Ohishi, T.Chikyow T.Chikyow, Tomoji Oishi

Regional Environment Systems

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Original language	English
Journal	NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大
Publication status	Published - 2011 Nov 4

Cite this

The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors. / H.Yamada, H.Yamada; T.Nabatame, T.Nabatame; M.Kimura, M.Kimura; A.Ohi, A.Ohi; T.Ohishi, T.Ohishi; T.Chikyow, T.Chikyow; Oishi, Tomoji.

In: NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大, 04.11.2011.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

@article{75cb3563f0b0439eb9a86266a967ebad,

title = "The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors",

author = "H.Yamada H.Yamada and T.Nabatame T.Nabatame and M.Kimura M.Kimura and A.Ohi A.Ohi and T.Ohishi T.Ohishi and T.Chikyow T.Chikyow and Tomoji Oishi",

year = "2011",

month = nov,

day = "4",

language = "English",

journal = "NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大",

}

TY - JOUR

T1 - The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors

AU - H.Yamada, H.Yamada

AU - T.Nabatame, T.Nabatame

AU - M.Kimura, M.Kimura

AU - A.Ohi, A.Ohi

AU - T.Ohishi, T.Ohishi

AU - T.Chikyow, T.Chikyow

AU - Oishi, Tomoji

PY - 2011/11/4

Y1 - 2011/11/4

M3 - Article

JO - NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大

JF - NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大

ER -