The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors

H.Yamada H.Yamada; T.Nabatame T.Nabatame; M.Kimura M.Kimura; A.Ohi A.Ohi; T.Ohishi T.Ohishi; T.Chikyow T.Chikyow; Tomoji Oishi

The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors

H.Yamada H.Yamada, T.Nabatame T.Nabatame, M.Kimura M.Kimura, A.Ohi A.Ohi, T.Ohishi T.Ohishi, T.Chikyow T.Chikyow, Tomoji Oishi

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Research output: Contribution to journal › Article

Original language	English
Journal	NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大
Publication status	Published - 2011 Nov 4

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H.Yamada, H. Y., T.Nabatame, T. N., M.Kimura, M. K., A.Ohi, A. O., T.Ohishi, T. O., T.Chikyow, T. C., & Oishi, T. (2011). The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors. NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大.

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TY - JOUR

T1 - The effect of redox annealing on flatband voltage in ITO/HfO2 MOS capacitors

AU - H.Yamada, H.Yamada

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AU - M.Kimura, M.Kimura

AU - A.Ohi, A.Ohi

AU - T.Ohishi, T.Ohishi

AU - T.Chikyow, T.Chikyow

AU - Oishi, Tomoji

PY - 2011/11/4

Y1 - 2011/11/4

M3 - Article

JO - NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大

JF - NIMS（物質材料研究機構）連携大学院ワークショップ、早稲田大

ER -