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研究成果
Change of characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by post-deposition annealing
Maeda, E., Nabatame, T., Yuge, K., Hirose, M., Inoue, M., Ohi, A., Ikeda, N., Shiozaki, K. & Kiyono, H., 2019 8 15, ： : Microelectronic Engineering. 216, 111036.研究成果: Article
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引用
（Scopus）
Characteristics of several high-k gate insulators for GaN power device
Nabatame, T., Maeda, E., Inoue, M., Hirose, M., Kiyono, H., Irokawa, Y., Shiozaki, K. & Koide, Y., 2019 1 1, Semiconductor Process Integration 11. Murota, J., Claeys, C., Iwai, H., Tao, M., Deleonibus, S., Mai, A., Shiojima, K. & Cao, Y. (版). 4 版 Electrochemical Society Inc., p. 109-117 9 p. (ECS Transactions; 巻数 92, 番号 4).研究成果: Conference contribution
Influence of ammonia gas exposure on microstructure of nanocrystalline titanium nitride powder synthesized from titanium dioxide
Alhussain, H., Mise, T., Matsuo, Y., Kiyono, H., Nishikiori, K. & Akashi, T., 2019 1 1, ： : Journal of the Ceramic Society of Japan. 127, 11, p. 824-829 6 p.研究成果: Article
公開
Influence of post-deposition annealing on characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors
Hirose, M., Nabatame, T., Yuge, K., Maeda, E., Ohi, A., Ikeda, N., Irokawa, Y., Iwai, H., Yasufuku, H., Kawada, S., Takahashi, M., Ito, K., Koide, Y. & Kiyono, H., 2019 8 15, ： : Microelectronic Engineering. 216, 111040.研究成果: Article
Rapid fabrication of colloidal crystal films by electrophoretic deposition and its application for a volatile liquid and strain detection sensor
Koike, M., Tran, T. H. G., Azuma, S., Kiyono, H., Uchikoshi, T. & Fudouzi, H., 2019 1 1, ： : Journal of the Society of Powder Technology, Japan. 56, 6, p. 339-346 8 p.研究成果: Article
公開