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研究成果 1992 2019

  • 695 引用
  • 14 h指数
  • 106 Article
  • 6 Conference contribution

Change of characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by post-deposition annealing

Maeda, E., Nabatame, T., Yuge, K., Hirose, M., Inoue, M., Ohi, A., Ikeda, N., Shiozaki, K. & Kiyono, H., 2019 8 15, : : Microelectronic Engineering. 216, 111036.

研究成果: Article

MOS capacitors
Gate dielectrics
capacitors
Annealing
annealing

Influence of post-deposition annealing on characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors

Hirose, M., Nabatame, T., Yuge, K., Maeda, E., Ohi, A., Ikeda, N., Irokawa, Y., Iwai, H., Yasufuku, H., Kawada, S., Takahashi, M., Ito, K., Koide, Y. & Kiyono, H., 2019 8 15, : : Microelectronic Engineering. 216, 111040.

研究成果: Article

MOS capacitors
capacitors
Annealing
annealing
electrical properties
公開
Color
Fabrication
Crystals
Sensors
Liquids
5 引用 (Scopus)

Effect of crystallographic orientation on transparency of alumina prepared using magnetic alignment and SPS

Ashikaga, T., Kim, B. N., Kiyono, H. & Suzuki, T. S., 2018 7 1, : : Journal of the European Ceramic Society. 38, 7, p. 2735-2741 7 p.

研究成果: Article

Aluminum Oxide
Transparency
Alumina
Birefringence
Spark plasma sintering
gallium oxides
Gallium nitride
Aluminum Oxide
gallium nitrides
Gallium