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19952018

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研究成果

フィルター
Paper
2004

GaN-based optoelectronic devices on Si grown by MOCVD

Ishikawa, H. & Egawa, T., 2004 10 28, p. 34-38. 5 p.

研究成果: Paper

2001

Excellent DC characteristics of HEMTs on semi-insulating silicon carbide substrate

Arulkumaran, S., Egawa, T., Zhao, G., Ishikawa, H. & Umeno, M., 2001 1 1, p. 91-92. 2 p.

研究成果: Paper

High performance AlGaN/GaN HEMTs with recessed gate on sapphire substrate

Sano, Y., Yamada, T., Mita, J., Kaifu, K., Ishikawa, H., Egawa, T. & Umeno, M., 2001 1 1, p. 81-82. 2 p.

研究成果: Paper

3 引用 (Scopus)