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1980 …2019

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研究成果

公開
  • Analysis of Breakdown Voltages in AlGaN/GaN HEMTs with Low-Double Passivation Layers

    Nakamura, K., Hanawa, H. & Horio, K., 2019 6 1, : : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 19, 2, p. 298-303 6 p., 8660523.

    研究成果: Article

  • 4 引用 (Scopus)

    Analysis of Breakdown Characteristics of AIGaN/GaN HEMTs with Low- k IHigh- k Double Passivation Layers Paper Title

    Nakamura, K., Hanawa, H. & Horio, K., 2018 11 27, 2018 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium, BCICTS 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 247-250 4 p. 8551096

    研究成果: Conference contribution

  • Analysis of Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with Double Passivation Layers

    Nakano, K., Hanawa, H. & Horio, K., 2018 5, 2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia, WiPDA Asia 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 131-134 4 p. 8734668. (2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia, WiPDA Asia 2018).

    研究成果: Conference contribution

  • 1 引用 (Scopus)

    Analysis of breakdown characteristics of field-plate AlGaN/GaN HEMTs with a high-k passivation layer

    Kabemura, T., Hanawa, H. & Horio, K., 2018 1 1, TechConnect Briefs 2018 - Informatics, Electronics and Microsystems. Laudon, M., Case, F., Romanowicz, B. & Case, F. (版). TechConnect, 巻 4. p. 28-31 4 p.

    研究成果: Conference contribution