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1984 …2019

年単位の研究成果

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研究成果

Change of electrical properties of rutile- and anatase-TiO2 films by atomic layer deposited Al2O3

Nabatame, T., Yamamoto, I., Sawada, T., Ohi, A., Dao, T. D., Ohishi, T. & Nagao, T., 2019 1 1, Atomic Layer Deposition Applications 15. Roozeboom, F., De Gendt, S., Dendooven, J., Elam, J. W., van der Straten, O., Liu, C., Sundaram, G. & Illiberi, A. (版). 3 版 Electrochemical Society Inc., p. 15-21 7 p. (ECS Transactions; 巻数 92, 番号 3).

研究成果: Conference contribution

  • Characteristics of Al 2 O 3 /native oxide/n-GaN capacitors by post-metallization annealing

    Yuge, K., Nabatame, T., Irokawa, Y., Ohi, A., Ikeda, N., Sang, L., Koide, Y. & Ohishi, T., 2019 1 31, : : Semiconductor Science and Technology. 34, 3, 034001.

    研究成果: Article

  • 6 引用 (Scopus)
    公開
  • 2 引用 (Scopus)
  • Hafnium silicate gate dielectrics in GaN metal oxide semiconductor capacitors

    Nabatame, T., Maeda, E., Inoue, M., Yuge, K., Hirose, M., Shiozaki, K., Ikeda, N., Ohishi, T. & Ohi, A., 2019 1 1, : : Applied Physics Express. 12, 1, 011009.

    研究成果: Article

  • 9 引用 (Scopus)