0.1 μm Au/WSiN gate GaAs MESFET with new BP-LDD structure and its applications

Masami Tokumitsu, Kazumi Nishimura, Makoto Hirano, Kimiyoshi Yamasaki

    研究成果: Article査読

    4 被引用数 (Scopus)

    抄録

    A 0.1-μm gate-length GaAs MESFET technology is reported. A 48.3-GHz dynamic-frequency divider, and an amplifier with 20-dB gain and 17.5-GHz bandwidth are successfully fabricated by integrating over-100-GHz-cut-off frequency MESFETs using a new lightly-doped drain structure with a buried p-layer (BP-LDD) device structure.

    本文言語English
    ページ(範囲)1189-1194
    ページ数6
    ジャーナルIEICE Transactions on Electronics
    E78-C
    9
    出版ステータスPublished - 1995 9 1

    ASJC Scopus subject areas

    • 電子材料、光学材料、および磁性材料
    • 電子工学および電気工学

    フィンガープリント

    「0.1 μm Au/WSiN gate GaAs MESFET with new BP-LDD structure and its applications」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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