0.1 μm GaAs MESFET technology for ultra-high-speed digital and analog ICs

Masami Tokumitsu, Makoto Hirano, Koichi Murata, Yuhki Imai, Kimiyoshi Yamasaki

    研究成果: Conference contribution

    9 被引用数 (Scopus)

    抄録

    A 0.1 μm gate-length GaAs IC technology is reported. A 48.3 GHz dynamic-frequency divider, and an amplifier with 20 dB gain and 17.5 GHz bandwidth are successfully fabricated by integrating over 100 GHz cut-off frequency MESFETs by using a new BP-LDD device structure.

    本文言語English
    ホスト出版物のタイトルIEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
    出版社Publ by IEEE
    ページ1629-1632
    ページ数4
    ISBN(印刷版)0780317793
    出版ステータスPublished - 1994 1 1
    イベントProceedings of the IEEE MTT-S International Microwave Symposium - San Diego, CA, USA
    継続期間: 1994 5 231994 5 27

    出版物シリーズ

    名前IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
    3
    ISSN(印刷版)0149-645X

    Other

    OtherProceedings of the IEEE MTT-S International Microwave Symposium
    CitySan Diego, CA, USA
    Period94/5/2394/5/27

    ASJC Scopus subject areas

    • 放射線
    • 凝縮系物理学
    • 電子工学および電気工学

    フィンガープリント

    「0.1 μm GaAs MESFET technology for ultra-high-speed digital and analog ICs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル