0.1-μm p+-GaAs gate HJFET's fabricated using two-step dry-etching and selective MOMBE growth techniques

Shigeki Wada, Naoki Furuhata, Masatoshi Tokushima, Muneo Fukaishi, Hikaru Hida, Tadashi Maeda

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フィンガープリント

「0.1-μm p+-GaAs gate HJFET's fabricated using two-step dry-etching and selective MOMBE growth techniques」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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