0.1-μm p+-GaAs gate HJFETs with fT= 121 GHz fabricated using all dry-etching and selective MOMBE growth

Shigeki Wada, Naoki Furuhata, Masatoshi Tokushima, Muneo Fukaishi, Hikaru Hida, Tadashi Maeda

研究成果: Conference article査読

1 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「0.1-μm p+-GaAs gate HJFETs with fT= 121 GHz fabricated using all dry-etching and selective MOMBE growth」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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