0.1-μm self-aligned-gate GaAs MESFET with multilayer interconnection structure for ultra-high-speed ICs

Masami Tokumitsu, Makoto Hirano, Taiichi Otsuji, Satoshi Yamaguchi, Kimiyoshi Yamasaki

    研究成果: Conference article査読

    17 被引用数 (Scopus)

    抄録

    We have developed the technologies to fabricate about 0.1-μm-gate-length GaAs MESFETs with a multilayer interconnection structure. We fabricated excellent high-frequency performance of a 0.06-μm-gate-length MESFET having current-gain cutoff frequency (fT) of 168 GHz. Using 0.13-μm-gate-length MESFETs, we also fabricated an ultra-high-speed decision circuit operating up to 32 Gbit/s.

    本文言語English
    ページ(範囲)211-214
    ページ数4
    ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
    出版ステータスPublished - 1996 12 1
    イベントProceedings of the 1996 IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA
    継続期間: 1996 12 81996 12 11

    ASJC Scopus subject areas

    • 電子材料、光学材料、および磁性材料
    • 凝縮系物理学
    • 電子工学および電気工学
    • 材料化学

    フィンガープリント

    「0.1-μm self-aligned-gate GaAs MESFET with multilayer interconnection structure for ultra-high-speed ICs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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