0.7μm pitch double level Al interconnection technology for DRAMs using SiO2 mask Al etching and PECVD SiOF

T.Yokoyama T.Yokoyama, Y.Yamada Y.Yamada, K.Kishimoto K.Kishimoto, T.Usami T.Usami, H H, Kasamoto Kasamoto, K.Ueno K.Ueno, H.Gomi H.Gomi, Kazuyoshi Ueno

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本文言語English
ページ(範囲)1440-1444
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics
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出版ステータスPublished - 1998 3 1

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