0.7μm pitch double level Al interconnection technology for DRAMs using SiO2 mask Al etching and PECVD SiOF

T.Yokoyama T.Yokoyama, Y.Yamada Y.Yamada, K.Kishimoto K.Kishimoto, T.Usami T.Usami, H H, Kasamoto Kasamoto, K.Ueno K.Ueno, H.Gomi H.Gomi, Kazuyoshi Ueno

研究成果: Article

26 引用 (Scopus)
元の言語English
ページ(範囲)1440-1444
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics
37
出版物ステータスPublished - 1998 3 1

これを引用

T.Yokoyama, T. Y., Y.Yamada, Y. Y., K.Kishimoto, K. K., T.Usami, T. U., H, H., Kasamoto, K., K.Ueno, K. U., H.Gomi, H. G., & Ueno, K. (1998). 0.7μm pitch double level Al interconnection technology for DRAMs using SiO2 mask Al etching and PECVD SiOF. Japanese Journal of Applied Physics, 37, 1440-1444.