A 0.25 μ m inner sidewall-assisted super self-aligned gate heterojunction FET fabricated using all dry-etching technology for low voltage controlled LSIs

H. Hida, M. Tokushima, M. Fukaishi, Tadashi Maeda, Y. Ohno

研究成果: Conference contribution

6 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント 「A 0.25 μ m inner sidewall-assisted super self-aligned gate heterojunction FET fabricated using all dry-etching technology for low voltage controlled LSIs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Chemical Compounds

Engineering & Materials Science

Physics & Astronomy