A 0.7-μm-pitch double level Al interconnection technology for 1-Gbit DRAMs using SiO2 mask Al etching and plasma enhanced chemical vapor deposition SiOF

Takashi Yokoyama, Yoshiaki Yamada, Koji Kishimoto, Tatsuya Usami, Hideaki Kawamoto, Kazuyoshi Ueno, Hideki Gomi

研究成果: Article査読

フィンガープリント 「A 0.7-μm-pitch double level Al interconnection technology for 1-Gbit DRAMs using SiO<sub>2</sub> mask Al etching and plasma enhanced chemical vapor deposition SiOF」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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