A Flux-Based Approach to HBT Device Modeling.

S.Tanaka S.Tanaka, M.S.Lundstrom M.S.Lundstrom, Shinichi Tanaka

研究成果: Article査読

2 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ページ(範囲)505-509
ジャーナルIEEE International Electron Device Meeting
出版ステータスPublished - 1993 1 1

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