A High-Speed Frequency Divider Using n+ -Ge Gate AlGaAs/GaAs MISFET's

Shuichi Fujita, Makoto Hirano, Koichi Maezawa, Takashi Mizutani

    研究成果: Article査読

    3 被引用数 (Scopus)

    抄録

    A high-speed divide-by-four static frequency divider is fabricated using n+-Ge gate AlGaAs/GaAs heterostructure MISFET's. The divider circuit consists of two master-slave T-type flip-flops (T-FF's) and an output buffer based on source-coupled FET logic (SCFL). A maximum toggle frequency of 11.3 GHz with a power dissipation of 219 mW per T-F/F is obtained at 300 K using 1.0-μm gate FET's.

    本文言語English
    ページ(範囲)226-227
    ページ数2
    ジャーナルIEEE Electron Device Letters
    8
    5
    DOI
    出版ステータスPublished - 1987 5

    ASJC Scopus subject areas

    • 電子材料、光学材料、および磁性材料
    • 電子工学および電気工学

    フィンガープリント

    「A High-Speed Frequency Divider Using n<sup>+</sup> -Ge Gate AlGaAs/GaAs MISFET's」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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