A high transconductance GaAs MESFET with reduced short channel effect characteristics

K.Ueno K.Ueno, T.Furutsuka T.Furutsuka, H.Toyoshima H.Toyoshima, M.Kanamari M.Kanamari, A.Higashisaka A.Higashisaka, Kazuyoshi Ueno

研究成果: Article

12 引用 (Scopus)
元の言語English
ページ(範囲)82-85
ジャーナル1985 IDEM Technical Digest
出版物ステータスPublished - 1985 12 1

これを引用

K.Ueno, K. U., T.Furutsuka, T. F., H.Toyoshima, H. T., M.Kanamari, M. K., A.Higashisaka, A. H., & Ueno, K. (1985). A high transconductance GaAs MESFET with reduced short channel effect characteristics. 1985 IDEM Technical Digest, 82-85.