A nanosized photodetector fabricated by electron-beam-induced deposition

K. Makise, K. Mitsuishi, M. Shimojo, K. Furuya

研究成果: Article査読

9 被引用数 (Scopus)

抄録

A sensitive nanosized molybdenum oxide (MoOx) photodetector is manufactured at a desired position by electron-beam-induced deposition (EBID). As-deposited MoOx had a conductivity ∼300Scm-1. After 2h annealing at 573K, the conductivity of nanowires decreased 10 times to ∼30Scm-1 and MoOx had photoconductivity. Nanosized MoOx wires enhanced the sensitivity of optical devices due to an increased surface area to volume ratio.

本文言語English
論文番号425305
ジャーナルNanotechnology
20
42
DOI
出版ステータスPublished - 2009 10 12
外部発表はい

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