本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 288-290 |
ジャーナル | Extended Abstracts of 1997 International Conf. On Solid State Devices and Materials |
出版ステータス | Published - 1997 9月 1 |
A reliable double level interconnection technology for giga bit DRAMs using SiO2 mask Al etching and PECVD SiOF
T.Yokoyama T.Yokoyama, Y.Yamada Y.Yamada, K.Kishimoto K.Kishimoto, T.Usami T.Usami, H.Kawamoto H.Kawamoto, H.Gomi H.Gomi, K.Ueno K.Ueno, Kazuyoshi Ueno
研究成果: Article › 査読