A robust embedded ladder-oxide/Cu multilevel interconnect technology for 0.13um complementary metal oxide semiconductor generation

N. Oda, S. Ito, T. Takewaki, K. Shiba, H. Kunishima, N. Hironaga, I. Honma, H. Nanba, S. Yokogawa, A. Kameyama, T. Goto, T. Usami, K. Ohto, A. Kubo, M. Suzuki, Y. Yamamoto, S. Watanabe, K. Yamada, M. Ikeda, K. Ueno;T. HoriuchiKazuyoshi Ueno

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本文言語English
ページ(範囲)954-961
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics
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出版ステータスPublished - 2007 3月 5

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