AlGaN solar-blind Schottky photodiodes fabricated on 4H-SiC

Hao Jiang, T. Egawa, H. Ishikawa

研究成果: Article査読

14 被引用数 (Scopus)

抄録

Solar-blind AlGaN-based Schottky photodiodes grown on 4H-SiC substrate are reported. The fabricated devices demonstrate dark current density as low as 2.2 × 10-10 A/cm2 at a reverse bias of 5 V. A zero-bias peak responsivity of 44 mA/W was achieved at 256 nm, corresponding to an external quantum efficiency of 21%. Under a low illumination power density of 10 nW/cm2, a rejection ratio of more than two orders of magnitude was observed in the wavelength range from 270 to 310 nm. A room-temperature solar-blind detectivity of 7.9 × 1014 cm · Hz1/2W-1 was estimated at 256 nm under zero bias.

本文言語English
ページ(範囲)1353-1355
ページ数3
ジャーナルIEEE Photonics Technology Letters
18
12
DOI
出版ステータスPublished - 2006 6 15
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「AlGaN solar-blind Schottky photodiodes fabricated on 4H-SiC」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル