本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 186-190 |
ジャーナル | IEEE Transactions on Electron Devices |
巻 | 41 |
出版ステータス | Published - 1994 2月 1 |
An Asymmetric Side Wall Process for High Performance LDD MOSFET's
T.Horiuchi T.Horiuchi, T.Homma T.Homma, Y.Murao Y.Murao, K.Okumura K.Okumura, Tetsuya Homma
研究成果: Article › 査読