Characteristics of a GaN Metal Semiconductor Field-Effect TransistorGrown on a Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

T. Egawa, K. Nakamura, H. Ishikawa, T. Jimbo, M. Umeno

研究成果: Article

13 引用 (Scopus)
元の言語English
ページ(範囲)2630-2633
ジャーナルDefault journal
38
出版物ステータスPublished - 1999 4 1

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