本文言語 | English |
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ページ(範囲) | L493-495 |
ジャーナル | Default journal |
巻 | 41 |
出版ステータス | Published - 2002 4月 1 |
Characteristics of BCl3 Plasma-Etched GaN Schottky Diodes
M. Nakaji, T. Egawa, H. Ishikawa, S. Arulkumaran, T. Jimbo
研究成果: Article › 査読
21
被引用数
(Scopus)