| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | L493-495 |
| ジャーナル | Default journal |
| 巻 | 41 |
| 出版ステータス | Published - 2002 4月 1 |
Characteristics of BCl3 Plasma-Etched GaN Schottky Diodes
M. Nakaji, T. Egawa, H. Ishikawa, S. Arulkumaran, T. Jimbo
研究成果: Article › 査読
20
被引用数
(Scopus)