Characteristics of GaN MESFET Grown on Sapphire Substrate by MOCVD

T. Egawa, K. Nakamura, H. Ishikawa, T. Jimbo, M. Umeno

研究成果: Article査読

本文言語English
ページ(範囲)C-10-2
ジャーナルDefault journal
出版ステータスPublished - 1998 9 1

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