Characterization of Current-Induced Degradation in Be-Doped HBTs Based on GaAs and InP.

S.Tanaka S.Tanaka, S.Tanaka H.Shimawaki K.Kasahara, K.Honjo K.Honjo, Shinichi Tanaka

研究成果: Article査読

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本文言語English
ページ(範囲)1194-1201
ジャーナルIEEE Transaction on Electron Devices
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出版ステータスPublished - 1993 7 1

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