Characterization of different-Al-content AlGaN/GaN heterostructures and high-electron-mobility transistors grown on 100-mm-diameter sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

Makoto Miyoshi, Masahiro Sakai, Subramaniam Arulkumaran, Hiroyasu Ishikawa, Takashi Egawa, Mitsuhiro Tanaka, Osamu Oda

研究成果: Article査読

20 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント 「Characterization of different-Al-content AlGaN/GaN heterostructures and high-electron-mobility transistors grown on 100-mm-diameter sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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