DC Characteristics in High-Quality AlGaN/AlN/ High-Electron-Mobility Transistors Grown on AlN/Sapphire Templates

M. Miyoshi, A. Imanishi, T. Egawa, H. Ishikawa, K. Asai, T. Shibata, O. Oda

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本文言語English
ページ(範囲)6490-6493
ジャーナルJpn. J. Appl. Phys.
Vol. 44
出版ステータスPublished - 2005 9 1

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