本文言語 | English |
---|---|
ページ(範囲) | 6490-6493 |
ジャーナル | Jpn. J. Appl. Phys. |
巻 | Vol. 44 |
出版ステータス | Published - 2005 9月 1 |
DC Characteristics in High-Quality AlGaN/AlN/ High-Electron-Mobility Transistors Grown on AlN/Sapphire Templates
M. Miyoshi, A. Imanishi, T. Egawa, H. Ishikawa, K. Asai, T. Shibata, O. Oda
研究成果: Article › 査読
30
被引用数
(Scopus)