DC characteristics in high-quality AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistors grown on AIN/sapphire templates

Makoto Miyoshi, Atsushi Imanishi, Takashi Egawa, Hiroyasu Ishikawa, Kei Ichiro Asai, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka, Osamu Oda

研究成果: Article

24 引用 (Scopus)

フィンガープリント DC characteristics in high-quality AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistors grown on AIN/sapphire templates' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。

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