Device structure- and trap parameter-dependence of current collapse and lag phenomena in AlGaN/GaN HEMTs

A. Nakajima, K. Itagaki, H. Nara, K. Horio

研究成果: Article

元の言語English
ページ(範囲)518-519
ジャーナルExtended abstracts of 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008), Tsukuba, Japan
出版物ステータスPublished - 2008 9 25

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