Effects of acceptors in a Fe-doped buffer layer on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a high-k passivation layer

Yuuki Kawada, Hideyuki Hanawa, Kazushige Horio

研究成果: Article査読

5 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント 「Effects of acceptors in a Fe-doped buffer layer on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a high-k passivation layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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