Effects of Annealing on Ti, Pd, and Ni/n-Al0.11Ga0.89N Schottky Diodes

S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Jimbo

研究成果: Article

68 引用 (Scopus)
元の言語English
ページ(範囲)573-580
ジャーナルDefault journal
48
出版物ステータスPublished - 2001 3 1

これを引用

Arulkumaran, S., Egawa, T., Ishikawa, H., Umeno, M., & Jimbo, T. (2001). Effects of Annealing on Ti, Pd, and Ni/n-Al0.11Ga0.89N Schottky Diodes. Default journal, 48, 573-580.