Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on 4-in diameter sapphire substrate

S. Arulkumaran, M. Miyoshi, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo

研究成果: Article査読

21 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on 4-in diameter sapphire substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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