Evolution of Leakage Paths in HfO2/SiO2 Stacked Gate Dielectrics: A Stable Direct Observation by Ultrahigh Vacuum Conducting Atomic Force Microscopy

K.Kyuno K.Kyuno, K.Kita K.Kita, A.Toriumi A.Toriumi, Kentaro Kyuno

研究成果: Article査読

本文言語English
ジャーナルApplied Physics Letters
出版ステータスPublished - 2005 4 1

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