Fabrication of GaInN multiple-quantum well LEDs on Si (111) by MOCVD

M. Adachi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Umeno

研究成果: Article

元の言語English
ページ(範囲)PME-46
ジャーナルDefault journal
出版物ステータスPublished - 2000 9 1

これを引用

Adachi, M., Ishikawa, H., Egawa, T., Jimbo, T., & Umeno, M. (2000). Fabrication of GaInN multiple-quantum well LEDs on Si (111) by MOCVD. Default journal, PME-46.