| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | PME-46 |
| ジャーナル | Default journal |
| 出版ステータス | Published - 2000 9月 1 |
Fabrication of GaInN multiple-quantum well LEDs on Si (111) by MOCVD
M. Adachi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Umeno
研究成果: Article › 査読
M. Adachi, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Umeno
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| 本文言語 | English |
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| ページ（範囲） | PME-46 |
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| 出版ステータス | Published - 2000 9月 1 |