Fabrication of Highly Doped MLG Patterns Using Selective CVD and MoCl5Intercalation

Ekkaphop Ketsombun, Tomoki Akimoto, Kazuyoshi Ueno

研究成果: Conference contribution

抄録

Doped MLG is expected as an inductor material with high inductance density due to its high kinetic inductance. A practical fabrication process for doped MLG patterns is developed using a selective CVD on Ni catalyst patterns and stable MoCl5 intercalation. The highly doped MLG patterns of stage-2 were realized by CVD-MLG with a G/D ratio of 20 or more, and the sheet-resistance could be reduced.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2021 IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 2021
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN(電子版)9781728176321
DOI
出版ステータスPublished - 2021 7月 6
イベント24th Annual IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 2021 - Virtual, Kyoto, Japan
継続期間: 2021 7月 62021 7月 9

出版物シリーズ

名前2021 IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 2021

Conference

Conference24th Annual IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 2021
国/地域Japan
CityVirtual, Kyoto
Period21/7/621/7/9

ASJC Scopus subject areas

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面、皮膜および薄膜

フィンガープリント

「Fabrication of Highly Doped MLG Patterns Using Selective CVD and MoCl5Intercalation」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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