Further EOT Scaling of Ge/HfO2 over Si/HfO2 MOS Systems

K. Kita, M. Sasagawa, K. Tomida, M. Toyama, K. Kyuno, A. Torium

研究成果: Article査読

5 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ジャーナルInternational Workshop on Gate Insulator (IWGI2003)
出版ステータスPublished - 2003 11 1

引用スタイル