Further EOT scaling of Ge/HfO2 over Si/HfO2 MOS systems

K. Kita, M. Sasagawa, K. Tomida, M. Tohyama, K. Kyuno, A. Toriumi

研究成果: Conference contribution

6 被引用数 (Scopus)

抄録

In this paper, we describe a comprehensive comparision between Ge/HfO2 and Si/HfO2 system through physical and electrical properties.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルExtended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator, IWGI 2003
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ186-191
ページ数6
ISBN(電子版)4891140372, 9784891140373
DOI
出版ステータスPublished - 2003
外部発表はい
イベントInternational Workshop on Gate Insulator, IWGI 2003 - Tokyo, Japan
継続期間: 2003 11 62003 11 7

出版物シリーズ

名前Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator, IWGI 2003

Other

OtherInternational Workshop on Gate Insulator, IWGI 2003
国/地域Japan
CityTokyo
Period03/11/603/11/7

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Further EOT scaling of Ge/HfO<sub>2</sub> over Si/HfO<sub>2</sub> MOS systems」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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