Gain-bandwidth properties of 0.18μm Si-CMOS transistor up to 10 GHz

B. Siddik Yarman, Nicodimus Retdian, Shigetaga Takagi, Nobuo Fujii

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

抄録

In this paper, gain bandwidth limitations of a regularly processed 0.18μm Si CMOS FET is investigated over the frequency band of 450MHz-10GHz. It is exhibited that 0.18μm Si CMOS processing technology can safely be utilized to manufacture Ultra Wideband RF-Amplifiers for commercial wireless communication systems placed on a single chip up to X-Band.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルISSCS 2007 - International Symposium on Signals, Circuits and Systems, Proceedings
ページ65-68
ページ数4
DOI
出版ステータスPublished - 2007 12月 1
外部発表はい
イベント2007 International Symposium On Signals, Circuits and Systems, ISSCS 2007 - Iasi, Romania
継続期間: 2007 7月 122007 7月 13

出版物シリーズ

名前ISSCS 2007 - International Symposium on Signals, Circuits and Systems, Proceedings
1

Conference

Conference2007 International Symposium On Signals, Circuits and Systems, ISSCS 2007
国/地域Romania
CityIasi
Period07/7/1207/7/13

ASJC Scopus subject areas

  • 信号処理
  • 制御およびシステム工学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Gain-bandwidth properties of 0.18μm Si-CMOS transistor up to 10 GHz」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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