GaN films and GaN-based light emitting diodes grown on the sapphire substrates with high-density nano-craters formed in situ metalorganic vapor phase epitaxial reactor

M. Hao, H. Ishikawa, B. Zhang, T. Egawa

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フィンガープリント

「GaN films and GaN-based light emitting diodes grown on the sapphire substrates with high-density nano-craters formed in situ metalorganic vapor phase epitaxial reactor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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