GaN surface ablation by fs-pulses: atomic force microscopy studies, accumulation effects

Petr G. Eliseev, Saulius Juodkazis, Tamoya Sugahara, Hong Bo Sun, Shigeki Matsuo, Shiro Sakai, Hiroaki Misawa

研究成果: Conference article査読

7 被引用数 (Scopus)

抄録

Laser-induced ablation and surface processing were studied in GaN epitaxial layers irradiated by 130-150 fs pulses at wavelength of 398 and 795 nm. Atomic force microscopy (AFM) was used for a high-resolution investigation of initial and irradiated GaN surface. Imperfections of the mirror-like as-grown (0001) surface were determined. The laser-induced damage threshold (LIDT) was determined. Finally, a successful surface processing of GaN epitaxial layer was established.

本文言語English
ページ(範囲)546-556
ページ数11
ジャーナルProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
4065
DOI
出版ステータスPublished - 2000
外部発表はい
イベントHigh-Power Laser Ablation III - Santa Fe, NM, USA
継続期間: 2000 4 242000 4 28

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • コンピュータ サイエンスの応用
  • 応用数学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「GaN surface ablation by fs-pulses: atomic force microscopy studies, accumulation effects」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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