Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMTs on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates

M. Miyoshi, A. Imanishi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

研究成果: Conference article査読

1 被引用数 (Scopus)

抄録

Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN heterostructures with a 1-nm-thick AlN interfacial layer were grown on 100-mm-diameter epitaxial AIN/sapphire templates by metalorganic vapor phase epitaxy. They exhibited very high Hall mobilities of approximately 2100 cm2/Vs at room temperature and approximately 25000 cm2/Vs at 15 K with a sheet carrier density of approximately 1 × 1013/cm2. High-electron- mobility transistors were successfully fabricated on the epitaxial wafers. The device exhibited a high drain current density of 832 mA/mm and high extrinsic transconductance of 189 mS/mm.

本文言語English
ページ(範囲)1031-1034
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
出版ステータスPublished - 2004 12月 1
外部発表はい
イベントIEEE International Electron Devices Meeting, 2004 IEDM - San Francisco, CA, United States
継続期間: 2004 12月 132004 12月 15

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMTs on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル