| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | Tu-P3.005 |
| ジャーナル | Default journal |
| 出版ステータス | Published - 2003 5月 1 |
Growth of GaN on 4-inch Si substrates with a thin AlGaN/AlN intermediate layer
H. Ishikawa, M. Kato, M.S. Hao, T. Egawa, T. Jimbo
研究成果: Article › 査読
8
被引用数
(Scopus)