GROWTH of platy InGaAs single crystals and fabrication of 1.3 μm laser diodes

K. Kinoshita, T. Ueda, S. Adachi, T. Masaki, S. Yoda, M. Arai, T. Watanabe, M. Yuda, Y. Kondo

研究成果: Conference contribution

抄録

High quality InxGa1-xAs platy single crystals (x: 0.1 - 0.2) were grown by the newly invented growth method named as the traveling liquidus-zone (TLZ) method. Laser diodes lasing at 1.3 μm wavelength were fabricated on these substrates and showed good temperature stability of output power as predicted.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルIPRM'07
ホスト出版物のサブタイトルIEEE 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Conference Proceedings
ページ339-342
ページ数4
DOI
出版ステータスPublished - 2007 10月 2
外部発表はい
イベントIPRM'07: IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Matsue, Japan
継続期間: 2007 5月 142007 5月 18

出版物シリーズ

名前Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
ISSN(印刷版)1092-8669

Conference

ConferenceIPRM'07: IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
国/地域Japan
CityMatsue
Period07/5/1407/5/18

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「GROWTH of platy InGaAs single crystals and fabrication of 1.3 μm laser diodes」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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