High-electron-mobility AlGaN/AIN/GaN heterostructures grown on 100-mm-diam epitaxial AIN/sapphire templates by metalorganic vapor phase epitaxy

M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa, K. Asai, M. Mouri, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda

研究成果: Article査読

91 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「High-electron-mobility AlGaN/AIN/GaN heterostructures grown on 100-mm-diam epitaxial AIN/sapphire templates by metalorganic vapor phase epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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