High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates

K. Shiojima, T. Makimura, T. Kosugi, S. Sugitani, N. Shigekawa, H. Ishikawa, T. Egawa

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抄録

The first demonstration of dual-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) for high-power mixers is presented. The 0.7 × 300 μm gate device achieved the maximum output power of 19.6 dBm and upconversion gain of 11 dB at 2 GHz and 13 dBm and 5 dB at 5 GHz.

本文言語English
ページ(範囲)775-776
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
40
12
DOI
出版ステータスPublished - 2004 6月 10
外部発表はい

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  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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