High-Quality GaN on Si substrate by use of AlGaN/AlN Intermediate layer

H. Ishikawa, Z. Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno

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本文言語English
ページ(範囲)Mo_056
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出版ステータスPublished - 1999 7月 1

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