High-speed InP/InGaAs DHBTs with ballistic collector launcher structure

A. Fujihara, Y. Ikenaga, H. Takahashi, M. Kawanaka, S. Tanaka

研究成果: Conference article査読

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抄録

We demonstrate high-speed InP/InGaAs double-heterojunction bipolar transistors (DHBTs) with significantly improved collector carrier transport. The proposed collector design scheme allows for using moderate collector thickness to achieve high fmax (∼ 300 GHz) while maintaining high fT (∼ 200 GHz). The DHBTs will meet the demand of ultra-high-speed applications for both high fT and high fmax.

本文言語English
ページ(範囲)772-775
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
出版ステータスPublished - 2001 12月 1
外部発表はい
イベントIEEE International Electron Devices Meeting IEDM 2001 - Washington, DC, United States
継続期間: 2001 12月 22001 12月 5

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「High-speed InP/InGaAs DHBTs with ballistic collector launcher structure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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