| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | C-9-3 |
| ジャーナル | Default journal |
| 出版ステータス | Published - 1998 9月 1 |
High-Temperature Behaviors of GaN Schottky Barrier Diode
K. Nakamura, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Umeno
研究成果: Article › 査読
K. Nakamura, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Umeno
研究成果: Article › 査読
| 本文言語 | English |
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| ページ（範囲） | C-9-3 |
| ジャーナル | Default journal |
| 出版ステータス | Published - 1998 9月 1 |